Kroemer

I

Kroemer,

 

Herbert, deutscher Physiker, *Weimar 25.8. 1928; veröffentlichte 1957 eine bahnbrechende Arbeit über einen aus verschiedenen Elementen zusammengesetzten Transistor (»Heterotransistor«), der sich besonders für hohe Verstärkungen und Frequenzen eignete. 1959 ging er in die USA und legte dort 1963 die theoretischen Grundlagen für die Entwicklung von Halbleiterlasern (Laser). Nach seinem Wechsel aus der Industrie an die University of California in Santa Barbara beschäftigte er sich mit verschiedenen Halbleitermaterialien wie Galliumarsenid und anderen III-V-Halbleitern und wurde zu einem der Pioniere der Molekularstrahlepitaxie. Für seine Arbeiten zu Halbleiterheterostrukturen, die in der Hochgeschwindigkeits- und Optoelektronik verwendet werden, wurde er zusammen mit S. I. Alferow mit dem Physiknobelpreis 2000 ausgezeichnet.

II

Kroemer,

 

Herbert, Physiker, * Weimar 25. 8. 1928; promovierte 1952 an der Georg-August-Universität in Göttingen, lebt seit 1959 in den USA; 1968-76 Professor der Physik an der University of Colorado in Boulder (Colorado). Seit 1976 arbeitet Kroemer als Professor an der University of California in Santa Barbara (Kalifornien). Kroemers Hauptarbeitsgebiet ist die Entwicklung opto- und mikroelektronischer Bauelemente für die Informationstechnologie. Er machte sich insbesondere um die Entwicklung eines neuen, aus verschiedenen Halbleitermaterialien aufgebauten Transistortyps verdient (1957). Die Heterostrukturtechnik war die Grundlage eines enormen Geschwindigkeitszuwachses gegenüber der herkömmlichen Bauweise aus einem Werkstoff und ermöglicht u. a. die hohen Frequenzen, die in der modernen Hochfrequenztechnik (Chips, Satellitensysteme, Handys u. a.) erforderlich sind. Für die Entwicklung von Halbleiterheterostrukturen für die Hochgeschwindigkeits- und Optoelektronik erhielt er 2000 den Nobelpreis für Physik, zusammen mit J. Kilby und S. Alferow.